[发明专利]一种AlInP基蓝光探测器及其制备方法有效
| 申请号： | 201510964453.0 | 申请日： | 2015-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN105449028B | 公开（公告）日： | 2017-01-25 |
| 发明（设计）人： | 李国强;张子辰;林志霆;陈淑琦 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L31/101 | 分类号： | H01L31/101;H01L31/0304;H01L31/18 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司44245 | 代理人： | 陈文姬 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种AlInP基蓝光探测器，包括依次设置的基底、第一n‑AlInP层、第一p‑AlInP层、第二n‑AlInP层、第二p‑AlInP层、第三p‑AlInP层；还包括SiO2层、第一Au电极和第二Au电极；所述SiO2层与第一p‑AlInP层、第二n‑AlInP层、第二p‑AlInP层的侧面相接触；所述SiO2层还与第一n‑AlInP层的露出的表面相接触；所述第一Au电极设于SiO2层的表面；所述第二Au电极设于第一n‑AlInP层的露出的表面。本发明还公开了上述AlInP基蓝光探测器的制备方法。本发明的AlInP基蓝光探测器，可以实现直接对蓝光波段电磁波的针对性吸收，而不需要额外添加滤波片等。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 alinp 基蓝光 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种AlInP基蓝光探测器，其特征在于，包括依次设置的基底、第一n‑AlInP层、第一p‑AlInP层、第二n‑AlInP层、第二p‑AlInP层、第三p‑AlInP层；还包括SiO2层、第一Au电极和第二Au电极；所述SiO2层与第一p‑AlInP层、第二n‑AlInP层、第二p‑AlInP层的侧面相接触；所述SiO2层还与第一n‑AlInP层的露出的表面相接触；所述第一Au电极设于SiO2层的表面；所述第二Au电极设于第一n‑AlInP层的露出的表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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