[发明专利]半导体装置

摘要

本发明公开了一种半导体装置，其包括第一导电型晶体管和第二导电型晶体管，其中，第一导电型和第二导电型彼此不同，第一导电型晶体管和第二导电型晶体管每一者均包括：(ⅰ)包括多个金属层的金属栅极电极，以及(ⅱ)金属栅极电极侧壁间隔部，第一导电型晶体管的金属栅极电极的侧壁与第一导电型晶体管的金属栅极电极的相对应的侧壁间隔部之间的距离大于第二导电型晶体管的金属栅极电极的侧壁与第二导电型晶体管的金属栅极电极的相对应的侧壁间隔部之间的距离，并且第一导电型晶体管的金属栅极电极的栅极长度与第二导电型晶体管的金属栅极电极的栅极长度不同。本发明可以提供具有微细结构并能够使栅极长度最优化的半导体装置。

主权项

1.一种半导体装置，其包括：第一晶体管，其包括(a)第一金属栅极电极，所述第一金属栅极电极至少包括第一金属层和第二金属层，(b)第一侧壁间隔部，以及(c)偏移间隔部，所述偏移间隔部位于所述第一金属栅极电极的侧壁和所述第一侧壁间隔部之间；以及第二晶体管，其包括(a)第二金属栅极电极，所述第二金属栅极电极至少包括第一金属层和第二金属层，以及(b)第二侧壁间隔部，其中所述第一晶体管和所述第二晶体管每一者均包括鳍型场效应晶体管，并且所述第一金属栅极电极、所述第二金属栅极电极和所述偏移间隔部布置于所述鳍型场效应晶体管的沟道部上，在所述第一晶体管和所述第二晶体管的下部，在所述第一金属栅极电极的所述侧壁与对应的所述第一侧壁间隔部之间的距离大于所述第二金属栅极电极的侧壁与对应的所述第二侧壁间隔部之间的距离，所述第一金属栅极电极的所述侧壁的第一侧壁与邻近所述第一侧壁的所述第一侧壁间隔部之间的距离在所述第一侧壁的顶部处小于在所述第一侧壁的底部处，且所述偏移间隔部的高度小于所述第一金属栅极电极的高度。