[发明专利]一种聚合物薄膜表面原位生长聚苯胺阵列的方法在审
申请号: | 201510970169.4 | 申请日: | 2015-12-22 |
公开(公告)号: | CN105585729A | 公开(公告)日: | 2016-05-18 |
发明(设计)人: | 袁定胜;张海宁 | 申请(专利权)人: | 广东南海普锐斯科技有限公司 |
主分类号: | C08J7/16 | 分类号: | C08J7/16;C08J7/12;C08J5/18;C08L33/12;C08L27/18;C08L29/04;C08L33/02;C08L61/16;C08K9/06;C08K9/04;C08K3/36;C08K3/22;C08G73/02;H0 |
代理公司: | 广州市南锋专利事务所有限公司 44228 | 代理人: | 刘媖;沈悦涛 |
地址: | 528251 广东省佛山市南海区桂城街道*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种聚合物薄膜表面原位生长聚苯胺阵列的方法。该方法主要通过在聚合物/胺基化无机纳米氧化物复合薄膜表面与纳米金颗粒配合,进而定向自组装苯胺单体,通过温和条件下化学反应进行缩聚,从而在聚合物薄膜表面原位生长聚苯胺阵列。本发明方法所制备的阵列材料锚固在聚合物膜表面,可以跟电化学传感器、燃料电池等电化学器件中的离子传导膜有效复合,降低界面电阻,实现有序化膜电极的简易制备,提高电化学器件的性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 聚合物 薄膜 表面 原位 生长 苯胺 阵列 方法 | ||
【主权项】:
一种聚合物薄膜表面原位生长聚苯胺阵列的方法,其特征在于:包括以下步骤:(1)胺基化聚合物基体材料的制备:向聚合物溶液中加入胺基化无机氧化物纳米颗粒,超声分散均匀后重铸成膜,制得胺基化聚合物基体材料;(2)纳米金颗粒修饰的胺基化基体表面制备:将步骤(1)制备的胺基化聚合物基体材料置于纳米金溶胶溶液中浸渍,使纳米金颗粒沉积,取出基体材料,用去离子水小心清洗,去除未与胺基配位的纳米金离子,获得纳米金颗粒修饰的胺基化基体;(3)苯胺单体在纳米金修饰基体上的定向自组装:将步骤(2)所制备的纳米金颗粒修饰的胺基化基体浸渍于4‑胺基对苯硫酚的乙醇溶液中,浸渍时间不少于8 h,使得4‑胺基对苯硫酚与纳米金颗粒充分反应,随后取出基体,用乙醇小心清洗,除去未与金配位的4‑胺基对苯硫酚;(4)聚苯胺阵列修饰聚合物膜的制备:常温下,将步骤(3)所制备的基体置于苯胺和酒石酸的混合溶液中,逐渐滴加与混合溶液等体积的过硫酸铵水溶液,滴加完后保持一定时间,即得到聚合物薄膜表面原位生长聚苯胺阵列。
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