[发明专利]一种霍山石斛茎段快速繁殖方法

摘要

本发明公开了一种霍山石斛茎段快速繁殖方法，属于植株培育技术领域。该方法包括以下步骤：外植体的准备，诱导培养，增殖培养和生根壮苗培养。本发明取材容易且不受季节限制，以芽生芽的茎段培养方式，发生过程简单，能较好的保持母本的生物学性状，从而保证霍山石斛的药用价值；本繁殖方法简单易行，解决了霍山石斛无性繁殖中外植体灭菌不充分，原球茎分化慢，繁殖周期长，生产成本高等技术难题；本发明可在实际生产中进行，可为霍山石斛的种植发展提供保障，具有较好的经济效益和社会效益。

主权项

一种霍山石斛茎段快速繁殖方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)外植体的准备将外植体用流水冲洗干净，然后在无菌操作台上用75％的酒精浸泡外植体30秒，再用0.1％升汞溶液灭菌8～15分钟，然后用无菌水冲洗3～5次，取无菌滤纸吸去外植体表面的水分，在无菌条件下，切成至少带一个茎节的茎段；(2)诱导培养将茎段接种于无菌的诱导培养基中，诱导培养基配方为：N6+2.5mg/L 6‑BA+0.75％琼脂+3％蔗糖+8％椰汁+0.4％活性炭，pH值为5.4～5.9；培养条件为温度25℃、光照时间12小时/天、光强度1200～1800Lux，培养30～35天后，茎段上长出小芽；(3)增殖培养将新芽转接到芽增殖培养基中，芽增殖培养基的配方为：N6+2.5mg/L 6‑BA+1.5％琼脂+4％蔗糖+10％椰汁，pH值为5.4～5.8；培养条件为温度25℃、光照时间12小时/天、光强度1200～1800Lux，培养30～40天后，形成原球茎；将原球茎转接于原球茎增殖培养基中，原球茎增殖培养基的配方为：N6+1.5mg/L 6‑BA+1.2mg/L NAA+1.5％琼脂+4％蔗糖+5％香蕉汁+0.2％蛋白胨+10％椰汁+0.1％活性炭，培养条件为温度25℃、光照时间12小时/天、光强度1200～1800Lux，培养30～40天后，形成无根小苗；(4)生根壮苗培养将无根小苗转接到生根壮苗培养中，生根壮苗培养基的配方为：N6+2.5mg/L NAA+1.5％琼脂+4％蔗糖+5％香蕉汁+10％土豆汁+0.2％蛋白胨+0.1％活性炭，培养条件为温度25℃、光照时间12小时/天、光强度1200～1800Lux，培养40～50天后出苗。