[发明专利]具有挠性互连结构的芯片尺寸封装有效

专利信息
申请号: 201510973389.2 申请日: 2015-12-22
公开(公告)号: CN105720038B 公开(公告)日: 2020-05-05
发明(设计)人: M·冈萨雷斯;E·贝内;J·德沃斯 申请(专利权)人: IMEC非营利协会
主分类号: H01L23/522 分类号: H01L23/522;H01L23/528;H01L21/768
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 张兰英
地址: 比利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种芯片尺寸封装及其制造方法。芯片尺寸封装包括基片、挠性互连结构和粘结结构。基片在主表面处具有接触垫。挠性互连结构包括:在基片的主表面上的第一介电层;第一通路,电气接触接触垫并从接触垫延伸至第一介电层的第一上部主表面;平面金属弹簧,该弹簧位于第一上部主表面上,且在该弹簧的第一端处电气接触第一通路;第二介电层和第二通路,第二介电层位于第一介电层的顶部上并覆盖该弹簧,第二通路电气接触该弹簧的第二端,并从该弹簧延伸至第二介电层的第二上部主表面;位于第二上部主表面上的第二金属,电气接触第二通路。位于挠性互连结构顶部上的粘结结构电气接触第二金属。挠性互连结构的第一和第二介电层具有低于200MPa的弹性模量。
搜索关键词: 具有 互连 结构 芯片 尺寸 封装
【主权项】:
一种芯片尺寸封装(100),包括:-基片(1),所述基片在第一主表面(3)处具有接触垫(2);以及-挠性互连结构(45),所述挠性互连结构包括:-第一介电层(4),所述第一介电层位于所述第一主表面(3)的顶部上;-第一通路(5),所述第一通路电气地接触所述接触垫(2),且所述第一通路(5)从所述接触垫(2)穿过所述第一介电层(4)延伸至所述第一介电层(4)的第一平坦上部主表面(11);-平面金属弹簧(6),所述平面金属弹簧位于所述第一平坦上部主表面(11)的顶部上,且在所述平面金属弹簧(6)的第一端(12)处电气地接触所述第一通路(5);-第二介电层(7),所述第二介电层位于所述第一介电层(4)的顶部上并且覆盖所述平面金属弹簧(6);-第二通路(8),所述第二通路电气地接触所述平面金属弹簧(6)的第二端(13),且所述第二通路(8)从所述平面金属弹簧(6)穿过所述第二介电层(7)延伸至所述第二介电层(7)的第二平坦上部主表面(14);-第二金属(9),所述第二金属位于所述第二平坦上部主表面(14)的顶部上并且电气地接触所述第二通路(8);以及-粘结结构(10),所述粘结结构位于所述挠性互连结构(45)的顶部上并且电气地接触所述第二金属(9);以及其特征在于,所述挠性互连结构(45)的第一和第二介电层(4、7)具有低于200MPa的弹性模量。
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