[发明专利]一种半导体器件及其制备方法、电子装置有效
| 申请号： | 201510974155.X | 申请日： | 2015-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN106910709B | 公开（公告）日： | 2020-04-14 |
| 发明（设计）人： | 王亮;李广宁 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括步骤S1：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有CMOS器件，在所述CMOS器件的层间介电层中形成有接触开口，以露出所述半导体衬底；步骤S2：在所述层间介电层上、露出的所述半导体衬底上以及所述接触开口的侧壁上形成屏蔽层，在形成所述屏蔽层的同时或者之后对所述屏蔽层进行等离子处理，以使所述屏蔽层致密化；步骤S3：在所述接触开口中填充导电材料，以形成电连接。本发明所述方法可以带来如下优点：1)重新调配TiN薄膜的穿透方向，使WF |
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| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制备 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制备方法，包括：步骤S1：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有CMOS器件，在所述CMOS器件的层间介电层中形成有接触开口，以露出所述半导体衬底；步骤S2：在所述层间介电层上、露出的所述半导体衬底上以及所述接触开口的侧壁上形成屏蔽层，在形成所述屏蔽层的同时或者之后对所述屏蔽层进行等离子处理，以使所述屏蔽层致密化；步骤S3：在所述接触开口中填充导电材料，以形成电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
