[发明专利]一种适用于深硅刻蚀后薄片的深硅机台手臂的结构改造及改造方法

摘要

本发明公开了一种适用于深硅刻蚀后薄片的深硅机台手臂的结构改造及改造方法，通过增加手臂U型槽深度，加大U型两侧距离，将取片位置设置在晶片的边缘位置，减少与晶片接触面积，以避免抓取或放置晶片有蹭到甚至直接撞击晶片；通过中空皮碗减小晶片的接触面积，增加摩擦防止传送过程中滑片，能够防止吸力太强将晶片吸破。通过光纤传感器检测，检测位置为晶片下方，能保证检测到当前位置上的晶片，保证晶片探测的准确性，并将信号发送给机台，在取消真空后仍能抓取晶片，达到自动抓取晶片工艺的目的，不管是减薄晶片还是普通晶片均能适用。

主权项

一种适用于深硅刻蚀后薄片的深硅机台手臂的结构改造，包括机台本体和用于抓取及传递晶片的手臂，所述手臂活动安装所述台本体上，所述手臂的前端部分安装有弧形卡位块，其特征在于：所述手臂的前端呈U型，所述手臂的U型两侧与所述弧形卡位块的两端齐平且位于晶片的边缘位置，还包括一感应晶片的传感器，所述传感器固定在所述手臂U型的敞开边缘处，所述手臂U型两侧的前端和所述手臂U型的中间均固定一防滑片。