[发明专利]TFT背板及其制造方法

摘要

一种TFT背板，包括第一金属层、位于第一金属层上的电容绝缘层以及位于电容绝缘层上的第二金属层，第二金属层上形成有绝缘介质层，绝缘介质层上形成有第三金属层，第三金属层穿过绝缘介质层和电容绝缘层上形成的栅极过孔与第一金属层接触，第二金属层上形成有供栅极过孔通过的镂空部。本发明的TFT背板结构将第一金属层和第三金属层作为存储电容的一个极板，将第二金属层作为存储电容的另一个极板，而将存储电容分成三部分，从而可以在有限的版图面积下有效增加存储电容的面积。本发明还提供上述TFT背板的制造方法。

主权项

1.一种TFT背板，包括第一金属层、位于所述第一金属层上的电容绝缘层以及位于所述电容绝缘层上的第二金属层，其特征在于，所述第二金属层上形成有绝缘介质层，所述绝缘介质层上形成有第三金属层，所述第一金属层包括作为TFT栅极的矩形部分，所述第二金属层的一部分位于所述第一金属层的所述矩形部分的正上方；所述第三金属层穿过所述绝缘介质层和所述电容绝缘层上形成的若干栅极过孔与所述第一金属层接触，所述第二金属层的位于所述第一金属层的所述矩形部分正上方的部分形成有供所述栅极过孔通过的若干镂空部；所述第二金属层的一部分位于所述第一金属层的正上方，所述第三金属层包括位于所述第二金属层正上方的第一部分及穿过所述栅极过孔与所述第一金属层相接触的第二部分；所述第一金属层、所述第二金属层以及夹在所述第一金属层和所述第二金属层之间的部分电容绝缘层形成一第一电容，所述第二金属层、所述第三金属层的第一部分以及夹在所述第二金属层和所述第三金属层的第一部分之间的部分绝缘介质层形成一第二电容，所述第二金属层、所述第三金属层的第二部分以及夹在所述第二金属层的侧面和所述第三金属层的第二部分之间的部分绝缘介质层形成一第三电容，所述TFT的存储电容包括所述第一电容、所述第二电容及所述第三电容。