[发明专利]一种用于ESD保护的低触发电压SCR器件有效
| 申请号： | 201510976188.8 | 申请日： | 2015-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN105609488B | 公开（公告）日： | 2018-07-27 |
| 发明（设计）人： | 刘继芝;赵柳;刘志伟 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H01L27/02 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 李明光 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于集成电路的静电放电保护领域，提供一种用于ESD保护的低触发电压SCR器件，用于进一步降低LVTSCR器件的触发电压。包括第一种导电类型硅衬底、硅衬底上形成第二种导电类型阱区和第一种导电类型阱区，所述阱区内分别设置第二种导电类型重掺杂区和第一种导电类型重掺杂区，两阱区之间跨接第二种导电类型重掺杂区，所述跨接的第二种导电类型重掺杂区和第一种导电类型阱区内第二种导电类型重掺杂区之间的硅表面上设有一个栅氧化层区；所述第二种导电类型阱区硅表面上无器件结构区域还设有另一栅氧化层区，两个栅氧化层区上的多晶硅层通过金属相连。本发明在器件内部引入一个RC通路，能够进一步降低SCR器件的触发电压，且该触发电压可调制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 esd 保护 触发 电压 scr 器件 | ||
【主权项】：
1.一种用于ESD保护的低触发电压SCR器件，包括第一种导电类型硅衬底、硅衬底上形成的相邻接的第二种导电类型阱区和第一种导电类型阱区，所述第二种导电类型阱区内设有与阳极相连的一个第二种导电类型重掺杂区和一个第一种导电类型重掺杂区，所述第一种导电类型阱区内设有与阴极相连的一个第二种导电类型重掺杂区和一个第一种导电类型重掺杂区，所述第二种导电类型阱区和第一种导电类型阱区之间跨接一个第二种导电类型重掺杂区，所述跨接的第二种导电类型重掺杂区和第一种导电类型阱区内第二种导电类型重掺杂区之间的硅表面上设有一个栅氧化层区；其特征在于，所述第二种导电类型阱区硅表面上无器件结构区域还设有另一栅氧化层区，两个栅氧化层区上的多晶硅层相连；所述两个栅氧化层区上的多晶硅层通过金属层连接。
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