[发明专利]用于制造半导体器件的构图方法、半导体器件制作方法

摘要

本发明提供一种用于制造半导体器件的构图方法及半导体器件制造方法，涉及半导体技术领域。该构图方法包括提供半导体衬底，在半导体上形成牺牲材料层；在牺牲材料层上形成具有第一图案的光刻胶层；以具有第一图案的光刻胶层为掩膜刻蚀牺牲材料层，使第一牺牲材料层具有第一图案；去述具有第一图案的光刻胶层，形成填充并覆盖具有第一图案的牺牲材料层的具有第二图案的光刻胶层；以具有第二图案的光刻胶层为掩膜刻蚀具有第一图案的牺牲材料层，以使第一牺牲材料层具有第三图案；形成填充并覆盖所述具有第三图案的牺牲材料层的掩膜材料层；去除牺牲材料层，形成具有第四图案的掩膜层。该构图方法通过双重曝光和图形翻转可以使图形密集度提高一倍。

主权项

一种用于制造半导体器件的构图方法，其特征在于，包括下述步骤：提供半导体衬底，在所述半导体上形成牺牲材料层；在所述牺牲材料层上形成具有第一图案的光刻胶层；以所述具有第一图案的光刻胶层为掩膜刻蚀所述牺牲材料层，以第一次图形化所述牺牲材料层，使所述第一牺牲材料层具有第一图案；去除所述具有第一图案的光刻胶层，形成填充并覆盖所述具有第一图案的牺牲材料层的具有第二图案的光刻胶层；以所述具有第二图案的光刻胶层为掩膜刻蚀所述具有第一图案的牺牲材料层，以使所述第一牺牲材料层具有第三图案；形成填充并覆盖所述具有第三图案的牺牲材料层的掩膜材料层；去除所述牺牲材料层，形成具有第四图案的掩膜层。