[发明专利]一种半导体器件及其制造方法和电子装置

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法和电子装置，涉及半导体技术领域。包括：提供第一衬底，在第一衬底的第一表面一侧形成前端器件和第二互连结构，第二互连结构的底层金属层通过若干接触与第一衬底的第一表面相连；提供第二衬底，通过键合工艺将第二衬底与第一衬底的形成有所述前端器件的一侧相接合；对第一衬底进行减薄处理；刻蚀第一衬底，直到暴露若干接触，以形成焊盘开口；在焊盘开口中以及部分第一衬底的第二表面上形成焊盘，焊盘与若干接触相连。根据本发明的制造方法，采用普通的接触即可实现背面的铝焊盘与第一衬底正面的互联结构的连接，工艺简单，节省工艺，提高了器件的性能和良率。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：步骤S101：提供第一衬底，在所述第一衬底的第一表面一侧形成包括晶体管和第一互连结构的前端器件，以及位于所述晶体管外侧的第二互连结构，所述第一互连结构连接所述晶体管，所述第二互连结构的底层金属层通过若干接触与所述第一衬底的第一表面相连；步骤S102：提供第二衬底，通过键合工艺将所述第二衬底与所述第一衬底的形成有所述前端器件的一侧相接合；步骤S103：从所述第一衬底的与所述第一表面相对的第二表面一侧对所述第一衬底进行减薄处理；步骤S104：从所述第一衬底的所述第二表面开始，刻蚀所述第一衬底，直到暴露所述若干接触，以形成焊盘开口；步骤S105：在所述焊盘开口中以及部分所述第一衬底的所述第二表面上形成焊盘，所述焊盘与所述若干接触相连，所述焊盘用于将信号或电源通过所述第一互连结构以及所述第二互连结构输入到半导体器件的内部。