[发明专利]MEMS多层线圈及其制备方法在审
| 申请号： | 201510977114.6 | 申请日： | 2015-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN105572610A | 公开（公告）日： | 2016-05-11 |
| 发明（设计）人： | 潘孟春;胡靖华;胡佳飞;赵建强;田武刚;陈棣湘;张琦 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科学技术大学 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09;H01L43/02;H01L43/12;H01F5/00;H01F41/04;H01F41/12 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所 43008 | 代理人： | 赵洪;谭武艺 |
| 地址： | 410073 湖南省长沙市砚瓦池正街47*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MEMS多层线圈及其制备方法，该MEMS多层线圈包括底层线圈和顶层线圈，所述底层线圈的上侧、所述顶层线圈的下侧均设有磁性调控层。制备方法包括以下步骤：S1：在玻璃基底上溅射沉积底层线圈金属层，刻蚀出底层线圈后去胶；S2：溅射沉积底绝缘层；S3：溅射沉积磁性层，刻蚀出磁性调控层，并形成用于形成导电通道的过孔后去胶；S4：溅射沉积顶绝缘层；S5：刻蚀出导电通道的导电通孔后去胶；S6：溅射沉积顶层线圈金属层，用刻蚀出顶层线圈后去胶。本发明的MEMS多层线圈能够实现平面内的高精度磁场调控且具有结构简单紧凑、体积小等优点；制备方法工艺简单、成本低廉。 | ||
| 搜索关键词： | mems 多层 线圈 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种MEMS多层线圈，包括底层线圈和顶层线圈，其特征在于，所述底层线圈的上侧、所述顶层线圈的下侧均设有磁性调控层。
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