[发明专利]与闪速存储器集成的梳形电容器

摘要

一些实施例涉及一种集成电路(IC)。IC包括半导体衬底，半导体衬底包括闪速存储区和电容器区。闪速存储单元布置在闪速存储区上方以及包括包括布置在闪速存储单元的第一和第二源极/漏极区之间的多晶硅选择栅极。闪速存储单元也包括布置在选择栅极旁边并且通过控制栅极介电层与选择栅极分开的控制栅极。电容器布置在电容器区上方以及包括多晶硅第一电容器极板和多晶硅第二电容器极板，第一电容器极板和多晶硅第二电容器极板彼此相互交叉以及通过电容器介电层彼此分开。电容器介电层和控制栅极介电层由相同的材料制成。本发明实施例涉及与闪速存储器集成的梳形电容器。

主权项

1.一种集成电路IC，包括：半导体衬底，包括闪速存储区和电容器区；闪速存储单元，布置在所述闪速存储区上方，以及包括布置在所述闪速存储单元的第一和第二源极/漏极区之间的多晶硅选择栅极和布置在所述多晶硅选择栅极旁边并且通过控制栅极介电层与所述多晶硅选择栅极分开的控制栅极；以及电容器，布置在所述电容器区上方，以及包括多晶硅第一电容器极板和多晶硅第二电容器极板，所述多晶硅第一电容器极板和所述多晶硅第二电容器极板彼此相互交叉以及具有通过电容器介电层彼此分开的侧壁，其中，所述电容器介电层和所述控制栅极介电层由相同的材料制成，其中，所述多晶硅选择栅极的最上表面和所述多晶硅第一电容器极板的最上表面是彼此共平面的。