[发明专利]积层电子陶瓷元件及其无压共烧结制法有效

专利信息
申请号: 201510982584.1 申请日: 2015-12-24
公开(公告)号: CN106915958B 公开(公告)日: 2020-10-09
发明(设计)人: 朱立文;李耿维 申请(专利权)人: 华新科技股份有限公司
主分类号: C04B35/468 分类号: C04B35/468;C04B35/49;C04B35/14;C04B35/64;H01G4/30;H01G4/12
代理公司: 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 代理人: 许宗富;周秀梅
地址: 中国台湾台北*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明公开了一种积层电子陶瓷元件及其无压共烧结制法,主要是将介电常数(k值)大于1500以上高介电常数陶瓷结层,及介电常数(k值)小于100的低介电常数陶瓷结构层交错积层形成积层电子陶瓷元件,并将积层电子陶瓷元件进行高温共烧处理。经烧结温度1150℃至1350℃和还原气氛(氧分压:10‑6~10‑12atm)环境下,所制作得的积层电子陶瓷元件,可具有高电容值、低介电损耗、高绝缘电阻、高绝缘破坏电压、温度稳定性佳与低扭曲特性的目的。
搜索关键词: 电子陶瓷 元件 及其 无压共 烧结 制法
【主权项】:
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