[发明专利]基板处理装置及基板处理方法在审
申请号: | 201510983384.8 | 申请日: | 2015-12-24 |
公开(公告)号: | CN105742155A | 公开(公告)日: | 2016-07-06 |
发明(设计)人: | 三浦淳靖;泽崎尚树 | 申请(专利权)人: | 株式会社思可林集团 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/67 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 崔炳哲;向勇 |
地址: | 日本国京*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种基板处理装置及基板处理方法,该基板处理装置包括:基板保持单元,其水平地保持基板;二流体喷嘴,其将有机溶剂与气体混合生成有机溶剂的液滴,将生成的有机溶剂液滴向基板上表面排出;第一有机溶剂供给单元,其向二流体喷嘴供给有机溶剂;气体供给单元,其向二流体喷嘴供给气体;第二有机溶剂供给单元,其向基板上表面供给有机溶剂;控制单元,其控制第一及第二有机溶剂供给单元和气体供给单元。控制单元执行:液滴排出工序,其从二流体喷嘴向基板上表面内的规定排出区域排出有机溶剂液滴;液膜形成工序,其在液滴排出工序之前执行,向基板上表面供给有机溶剂,形成覆盖排出区域的有机溶剂的液膜。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种基板处理装置,其特征在于,包括:基板保持单元,将基板水平地保持;二流体喷嘴,将有机溶剂与气体混合来生成所述有机溶剂的液滴,将生成的所述有机溶剂的所述液滴向所述基板的上表面排出;有机溶剂供给单元,用于向所述二流体喷嘴供给所述有机溶剂;气体供给单元,用于向所述二流体喷嘴供给所述气体;控制单元,控制所述有机溶剂供给单元及所述气体供给单元;所述控制单元执行液滴排出工序和液膜形成工序,在所述液滴排出工序中,从所述二流体喷嘴向所述基板的上表面内的规定排出区域排出所述有机溶剂的所述液滴;所述液膜形成工序在所述液滴排出工序之前执行,在所述液膜形成工序中,向所述二流体喷嘴不供给所述气体而供给所述有机溶剂,从而从该二流体喷嘴以连续流的方式排出所述有机溶剂,以在所述基板的上表面形成覆盖所述排出区域的所述有机溶剂的液膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造