[发明专利]一种纳米箔带连接碳化硅陶瓷基复合材料与金属的工艺有效
| 申请号： | 201510983407.5 | 申请日： | 2015-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN105585328B | 公开（公告）日： | 2018-05-29 |
| 发明（设计）人： | 陈波;熊华平;李文文;任海水 | 申请（专利权）人： | 中国航空工业集团公司北京航空材料研究院 |
| 主分类号： | C04B37/02 | 分类号： | C04B37/02 |
| 代理公司： | 中国航空专利中心 11008 | 代理人： | 杜永保 |
| 地址： | 100095*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种纳米箔带连接碳化硅陶瓷基复合材料与金属的工艺，属于焊接制造技术领域。由于陶瓷及陶瓷基复合材料的加工性能较差、耐热冲击能力弱，目前针对SiC陶瓷基复合材料与金属的连接，尚缺乏适用的高温连接焊料和合适的耐高温连接工艺。本发明利用Ti‑Al纳米箔带作为焊料，可以在1000℃～1200℃的温度下实现扩散连接碳化硅陶瓷复合材料与金属，接头室温弯曲强度可达到180MPa～300MPa，而且这种焊接温度不会明显影响被焊金属自身的组织和性能。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 纳米箔 陶瓷基复合材料 焊料 碳化硅陶瓷 复合材料 带连接 碳化硅陶瓷复合材料 焊接制造技术 耐热冲击能力 高温连接 加工性能 扩散连接 连接工艺 耐高温 焊接 陶瓷 | ||
【主权项】：
1.一种纳米箔带连接碳化硅陶瓷基复合材料与金属的工艺，其特征在于，该工艺包括以下步骤：首先，制备纳米级厚度的Ti金属层和Al金属层，两者交替叠加形成箔带；其次，以箔带作为焊料，将其置于被焊接的SiC陶瓷基复合材料与被焊金属之间，采用真空扩散焊或者真空-氩气条件下的热压烧结方法，温度为1000℃～1200℃，压力为10MPa～30MPa，实现碳化硅陶瓷基复合材料与金属的连接；箔带中每个金属层的厚度为15nm～100nm，总厚度为30μm～100μm。
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