[发明专利]一种PtBi2单晶及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201510988764.0 | 申请日： | 2015-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN105568377B | 公开（公告）日： | 2017-12-22 |
| 发明（设计）人： | 许祝安;杨小军;曹光旱 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C30B29/10 | 分类号： | C30B29/10;C30B9/10;H01L43/08;H01L43/10 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司33224 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及了一种PtBi2单晶，该晶体为六方晶系，其空间群为P‑3(No.147)，晶胞参数为α＝β＝90°,γ＝120°，晶胞体积为2.3×10‑28m3。本发明还涉及PtBi2单晶的制备方法，将Pt和Bi在氩气气氛中进行研磨混合，然后真空煅烧，离心得到PtBi2单晶；还涉及作为巨磁电阻材料的应用。PtBi2单晶是一种新型的单晶，具有线性巨磁电阻效应，可以作为一种新的巨磁电阻材料并且制备方法简单易于实现。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ptbi sub 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种PtBi2单晶，该晶体为六方晶系，其空间群为P‑3，晶胞参数为：α＝β＝90°,γ＝120°,晶胞体积为：2.3×10‑28m3。
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