[发明专利]一种半导体纳米多晶硅制备方法在审
| 申请号： | 201510990619.6 | 申请日： | 2015-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN105609405A | 公开（公告）日： | 2016-05-25 |
| 发明（设计）人： | 黄宗波 | 申请（专利权）人： | 重庆乐乎科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 401320 重庆市巴*** | 国省代码： | 重庆;85 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种半导体纳米多晶硅制备方法，包括如下步骤：采用低压力化学气相沉积法淀积多晶硅薄膜；在多晶硅薄膜上腐蚀出多晶硅桥，并溅射钛钨金；利用光刻法将电阻的两个端头露出，其余地方用光刻胶遮挡；以钛钨金为底金，进行电镀金；去掉光刻胶，腐蚀掉光刻胶保护的建设钛钨金，并进行清洗；将半导体多晶硅在氮气环境下退火处理得到半导体桥多晶硅。本发明方法简单、易操作，获得的桥多晶硅颗粒均匀、掺杂浓度高，电阻变化小，性能更加稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 纳米 多晶 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体纳米多晶硅制备方法，其特征在于，包括如下步骤：采用低压力化学气相沉积法淀积多晶硅薄膜；在多晶硅薄膜上腐蚀出多晶硅桥，并溅射钛钨金；利用光刻法将电阻的两个端头露出，其余地方用光刻胶遮挡；以钛钨金为底金，进行电镀金；去掉光刻胶，腐蚀掉光刻胶保护的建设钛钨金，并进行清洗；将半导体多晶硅在氮气环境下退火处理得到半导体桥多晶硅。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于重庆乐乎科技有限公司，未经重庆乐乎科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510990619.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：改善HCD氮化硅片均匀性的方法
- 下一篇：一种小型断路器及其灭弧装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
