[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201510993428.5 | 申请日： | 2011-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN105590964B | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 乡户宏充;荒井康行;冈本知广;寺岛真理;西田惠里子;菅尾惇平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/34 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体装置。所公开的发明的目的之一是提供一种维持良好的特性并实现微型化的使用氧化物半导体的半导体装置。半导体装置包括：氧化物半导体层；与氧化物半导体层接触的源电极及漏电极；与氧化物半导体层重叠的栅电极；设置在氧化物半导体层与栅电极之间的栅极绝缘层；以及以与氧化物半导体层接触的方式设置的绝缘层，其中，氧化物半导体层在其侧表面与源电极或漏电极接触，并且在其上表面隔着绝缘层与源电极或漏电极重叠。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：在绝缘表面上并与所述绝缘表面直接接触的氧化物半导体层；在所述氧化物半导体层之上并与所述绝缘表面直接接触的绝缘层，所述绝缘层包括从所述绝缘层的顶表面到底表面形成的开口；在所述开口中的与所述氧化物半导体层电接触的电极；与所述氧化物半导体层重叠的栅电极；覆盖所述栅电极的侧表面的侧壁绝缘层，所述侧壁绝缘层由第一层形成，并且所述绝缘层由与所述第一层不同的第二层形成；以及所述氧化物半导体层与所述栅电极之间的栅极绝缘层，其中所述电极与所述侧壁绝缘层直接接触，并且其中所述电极与所述绝缘表面的顶部区域直接接触且覆盖所述绝缘表面的所述顶部区域。
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