[发明专利]存储器及其编程控制方法和编程上拉电路有效
| 申请号： | 201510993742.3 | 申请日： | 2015-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN105609133B | 公开（公告）日： | 2019-07-02 |
| 发明（设计）人： | 杨光军 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张凤伟;吴敏 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种存储器及其编程控制方法和编程上拉电路。所述编程上拉电路包括：与存储阵列中各列存储单元一一对应的编程上拉单元；所述编程上拉单元包括至少两个串联连接的薄栅氧晶体管，且所述编程上拉单元第一端与电源电压输入端耦接，第二端与控制电压输入端耦接，第三端与所述存储阵列中的对应列存储单元耦接；其中，所述控制电压输入端适于根据所述编程控制电路的输出的位线选中操作信号，向所述编程上拉单元的第二端提供控制电压，所述编程上拉单元适于在所述控制电压输入端输入的控制电压的控制下，向对应列存储单元提供上拉电压。应用所述编程上拉电路，可以减小其占用的面积。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 及其 编程 控制 方法 电路 | ||
【主权项】：
1.一种存储器的编程上拉电路，所述存储器包括编程控制电路及存储阵列，所述存储阵列包括M列存储单元，其特征在于，所述编程上拉电路包括：与存储阵列中各列存储单元一一对应的编程上拉单元；所述编程上拉单元包括至少两个串联连接的薄栅氧晶体管，且所述编程上拉单元第一端与电源电压输入端耦接，第二端与控制电压输入端耦接，第三端与所述存储阵列中的对应列存储单元耦接；其中，所述控制电压输入端适于根据所述编程控制电路的输出的位线选中操作信号，向所述编程上拉单元的第二端提供控制电压，所述编程上拉单元适于在所述控制电压输入端输入的控制电压的控制下，向对应列存储单元提供上拉电压。
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