[发明专利]全背极太阳电池结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201510994224.3 | 申请日： | 2015-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN105390555A | 公开（公告）日： | 2016-03-09 |
| 发明（设计）人： | 端伟元;王子港;崔艳峰;杨阳;陈奕峰 | 申请（专利权）人： | 常州天合光能有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/0352;H01L31/18 |
| 代理公司： | 常州市科谊专利代理事务所 32225 | 代理人： | 肖兴坤 |
| 地址： | 213022 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种全背极太阳电池结构及其制备方法，全背极太阳电池结构包括：电池衬底；隧穿钝化层，所述隧穿钝化层设置在电池衬底的背面上；多晶硅层，所述多晶硅层设置在隧穿钝化层的下表面上，并且所述多晶硅层具有并列设置的N型重掺杂多晶硅层和P型多晶硅层。本发明不仅能够使硅体具有良好的表面钝化效果，而且对载流子进行选择性传输，提高了全背极太阳电池的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 全背极 太阳电池 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种全背极太阳电池结构，其特征在于，它包括：电池衬底(1)；隧穿钝化层(2)，所述隧穿钝化层(2)设置在电池衬底(1)的背面上；多晶硅层，所述多晶硅层设置在隧穿钝化层(2)的下表面上，并且所述多晶硅层具有并列设置的N型重掺杂多晶硅层(31)和P型多晶硅层(32)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
