[发明专利]晶圆片级芯片封装凸点的返工方法有效
| 申请号： | 201510994374.4 | 申请日： | 2015-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN105609434A | 公开（公告）日： | 2016-05-25 |
| 发明（设计）人： | 钱泳亮 | 申请（专利权）人： | 南通富士通微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人： | 孟阿妮;郭栋梁 |
| 地址： | 226006 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶圆片级芯片封装凸点的返工方法，包括以下步骤：(1)去除凸点：使用第一湿法蚀刻液进行凸点溶解，形成表面焊锡附着残留；(2)去除表面焊锡附着残留：去除表面焊锡附着残留后裸露出凸块焊盘和钝化层，所述凸块焊盘的下方设有IMC，Intermetallic compound合金层；(3)去除凸块焊盘和IMC合金层；(4)去除14：得到的晶圆片为重新分布层的再布线状态。本发明为了使晶圆不造成报废和不具有较大的良率损失，本发明的工艺方法可以使用蚀刻技术将bump进行去除，并将wafer(晶圆片)恢复到RDL再布线状态，最终重新开始加工流程。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆片级 芯片 封装 返工 方法 | ||
【主权项】：
一种晶圆片级芯片封装凸点的返工方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)去除凸点：使用第一湿法蚀刻液进行凸点溶解，形成表面焊锡附着残留；(2)去除表面焊锡附着残留：去除表面焊锡附着残留后裸露出凸块焊盘和钝化层，所述凸块焊盘的下方设有IMC，Intermetallic compound合金层；(3)去除凸块焊盘和IMC合金层；(4)去除钝化层：得到的晶圆片为重新分布层的再布线状态。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
