[发明专利]半导体层结构与制备方法及薄膜晶体管有效
| 申请号： | 201511002931.6 | 申请日： | 2015-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN105428420B | 公开（公告）日： | 2018-12-04 |
| 发明（设计）人： | 赵瑜;张占东 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰;侯艺 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体层结构，包括绝缘衬底及位于该绝缘衬底上的半导体层。该半导体层包括源极信号接入端子、漏极信号接入端子、第一半导体层图案以及第二半导体层图案。该第一半导体层图案及第二半导体层图案并联设置在该源极信号接入端子与该漏极信号接入端子之间。本发明还提供了一种薄膜晶体管以及一种半导体层结构制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制备 方法 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种半导体层结构，包括：绝缘衬底；及位于该绝缘衬底上的半导体层，该半导体层包括源极信号接入端子、漏极信号接入端子、第一半导体层图案以及第二半导体层图案，该第一半导体层图案及第二半导体层图案并联设置在该源极信号接入端子与该漏极信号接入端子之间，该第一半导体层图案及该第二半导体层图案均呈“n”形并横跨在该源极信号接入端子及该漏极信号接入端子之间，该第一半导体层图案包括两个第一主体部及一个连接两个第一主体部的第一连接部，其中一个第一主体部的两端分别与该源极信号接入端子及该第一连接部连接，另外一个第一主体部的两端分别与该漏极信号接入端子及该第一连接部连接，该第二半导体层图案包括两个第二主体部及一个连接两个第二主体部的第二连接部，其中一个第二主体部的两端分别与该源极信号接入端子及该第二连接部连接，另外一个第二主体部的两端分别与该漏极信号接入端子及该第二连接部连接。
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