[发明专利]功率管驱动电路及方法

摘要

本发明提供了一种功率管驱动电路及方法，该电路包括非交替逻辑控制器、第一NMOS管、第一PMOS管，第二NMOS管、第二PMOS管和阈值检测电路；所述阈值检测电路用以采集功率管栅极的输入电压，将其与预设的阈值比较，进而依据比较的结果驱动所述第二NMOS管和第二PMOS管的栅极；所述第二PMOS管用以依据所述阈值检测电路的输入输出高电平驱动功率管的栅极；所述第二NMOS管用以依据所述阈值检测电路的输入输出高电平驱动功率管的栅极。

主权项

1.一种功率管驱动电路，包括非交替逻辑控制器、第一NMOS管、第一PMOS管，其特征在于：还包括第二NMOS管、第二PMOS管和阈值检测电路；所述非交替逻辑控制器用以依据输入的PWM信号，驱动所述第一NMOS管和第一PMOS管的栅极；所述第一PMOS管用以依据所述非交替逻辑控制器的输入输出高电平驱动功率管的栅极；所述第一NMOS管用以依据所述非交替逻辑控制器的输入输出低电平驱动功率管的栅极；所述阈值检测电路用以采集功率管栅极的输入电压，将其与预设的阈值比较，进而依据比较的结果驱动所述第二NMOS管和第二PMOS管的栅极；所述第二PMOS管用以依据所述阈值检测电路的输入输出高电平驱动功率管的栅极；所述第二NMOS管用以依据所述阈值检测电路的输入输出低电平驱动功率管的栅极；所述第一PMOS管与第二PMOS管用以通过输出高电平至所述功率管的栅极，驱动其开启；在第一PMOS管被驱动输出高电平驱动功率管的栅极时：所述阈值检测电路进一步用以：若采集到的功率管栅极的电压小于一第一阈值，则驱动关断的所述第二PMOS管打开，使得所述第二PMOS管输出高电平驱动功率管的栅极；若大于该第一阈值，则驱动所述第二PMOS管关闭；若采集到的功率管栅极的电压到达第二阈值，则驱动所述第二PMOS管打开，使得所述第二PMOS管输出高电平驱动功率管的栅极；所述第二阈值大于第一阈值。