[发明专利]金属栅晶体管源漏区接触塞的制作方法

摘要

一种金属栅晶体管源漏区接触塞的制作方法，对于a)后高K栅介质层、金属栅工艺，在去除伪栅极结构，填入高K栅介质层、功函数层以及金属栅过程中；以及b)先高K栅介质层、后金属栅工艺，在去除伪栅极，填入功函数层以及金属栅过程中：在金属栅结构上形成两端均宽于该金属栅结构的刻蚀阻挡层。该刻蚀阻挡层使得后续在介质层内形成源漏区接触通孔的光刻工艺中，即使掩膜板与基底对准存在偏差或掩膜板中对应该通孔的开口较大，由于刻蚀阻挡层对其下覆盖的金属栅结构以及介质层形成保护，刻蚀形成的通孔不会暴露金属栅，从而通孔内填入的导电材质也不会与金属栅电导通，提高了器件良率、降低了掩膜板与基底的对准精度，以及降低了光刻精细度要求。

主权项

1.一种金属栅晶体管源漏区接触塞的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有伪栅极结构以及包覆所述伪栅极结构的第一介质层，所述第一介质层与所述伪栅极结构的顶表面齐平；所述伪栅极结构两侧的半导体衬底内形成有源漏区，所述伪栅极结构两侧具有偏移侧墙；去除所述伪栅极结构中的伪栅极上部部分高度以形成第一凹槽，沿所述第一凹槽向两侧腐蚀所述第一介质层以扩大所述第一凹槽；去除所述伪栅极结构中剩余伪栅极以及伪栅极绝缘层以形成第二凹槽，所述扩大的第一凹槽与第二凹槽构成“T”形凹槽；在所述“T”形凹槽内依次填入高K栅介质层、功函数层以及金属栅；去除所述扩大的第一凹槽内的高K栅介质层、功函数层以及金属栅，并在其内填入刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层的上表面与所述第一介质层的上表面齐平，所述刻蚀阻挡层的材质与所述第一介质层的材质不同，所述刻蚀阻挡层的两端均宽于所述金属栅结构，所述刻蚀阻挡层的两端均宽于所述偏移侧墙；至少在所述第一介质层以及刻蚀阻挡层上形成图案化的掩膜层，以所述图案化的掩膜层为掩膜干法刻蚀所述第一介质层以及刻蚀阻挡层，以在所述第一介质层内形成通孔，在所述通孔内填入导电材质以形成源漏区的接触塞。