[发明专利]液晶显示面板的像素构造及其制作方法在审

专利信息
申请号: 201511003474.2 申请日: 2015-12-28
公开(公告)号: CN105446027A 公开(公告)日: 2016-03-30
发明(设计)人: 郝思坤 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: G02F1/1343 分类号: G02F1/1343;G02F1/1362;G02F1/1368
代理公司: 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 代理人: 黄威
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开一种液晶显示面板的像素构造及其制作方法,其采用三栅极(Tri-gate)架构,在制作过程中可以同时形成一薄膜晶体管及一储存电容。所述储存电容包含一第一过孔及一第二过孔,使所述储存电容的一第一电容层与一第二电容层连接。所述储存电容的主要储存电容的部分还包含一公共线的下方的区域,因此可大幅度增加所述储存电容的容量,可以减小因液晶显示面板上的寄生电容而产生穿通效应(Feed through),改善面板显示质量。
搜索关键词: 液晶显示 面板 像素 构造 及其 制作方法
【主权项】:
一种液晶显示面板的像素构造,形成在一基板上,其包含:一第一金属层,形成于所述基板上,包含一扫描线及一薄膜晶体管的一栅极;一有源层,形成于所述栅极上;一第一绝缘层,形成于所述第一金属层及所述有源层上;一第二金属层,形成于所述绝缘层上,包含一数据线、一公共线、所述薄膜晶体管的一源极及一漏极,其中所述数据线连接所述源极;一第二绝缘层,形成于所述第二金属层上;一透明导电层,形成于所述第二金属层上,包含一像素电极及一公共电极;其特征在于,所述像素构造另包含一储存电容,其包含:一第一电容层,形成于所述像素构造的一侧边;一第二电容层,形成在所述第一电容层的上方并包含一第一区域及一第二区域,所述第二电容层的第一区域连接所述漏极,所述第二电容层的第二区域连接所述公共线,形成所述公共线的一凸起部;一第一过孔及一第二过孔,所述第一过孔位在所述第一电容层与所述第二电容层的第一区域交接处,所述第一过孔的一部分连接所述第一电容层,其另一部分贯穿及连接所述第二电容层的第一区域,使此处的所述第一电容层与所述第二电容层连接;以及所述第二过孔贯穿所述第二电容层的第二区域,使此处的所述第一电容层与所述第二电容层连接;及一第三电容层,包含一第一区域及一第二区域,所述第三电容层的第一区域的一部份位所述第一过孔的上方并连接所述第一过孔,其另一部份位在所述公共线的上方,并连接所述像素电极;所述第三电容层的第二区域位在所述第二过孔的上方并连接所述第二过孔,并连接所述公共电极。
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