[发明专利]一种具有SiO包覆层的硅基负极材料的制备方法及应用在审
| 申请号： | 201511004179.9 | 申请日： | 2015-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN105514382A | 公开（公告）日： | 2016-04-20 |
| 发明（设计）人： | 高云智;马刊;杨春霞;付传凯 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/38;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 哈尔滨龙科专利代理有限公司 23206 | 代理人： | 高媛 |
| 地址： | 150000 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种具有SiO包覆层的硅基负极材料的制备方法及应用，所述方法步骤如下：一、将硅烷偶联剂水解处理12~15h。二、将纳米硅粉于水/乙醇混合溶液中超声0.3~2h。三、将水解后的硅烷偶联剂与纳米硅粉混合溶液混合，惰性气体气氛下回流升温反应。四、将混合溶液离心洗涤、真空干燥，得到具有硅烷偶联剂包覆层的硅基负极材料。五、将硅基负极材料在惰性气氛下烧结处理，得到具有SiO包覆层的硅基负极材料，其可应用于锂离子电池中。本发明所制备的SiO包覆层较其他氧化物包覆层而言，不仅可以提高硅基材料的循环稳定性，而且其本身也具有较高的理论比容量，该工艺简便可行、成本低廉，适于大规模生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 sio 覆层 负极 材料 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种具有SiO包覆层的硅基负极材料的制备方法，其特征在于所述方法步骤如下：一、将硅烷偶联剂水解处理12 ~ 15h；二、将纳米硅粉于水/乙醇混合溶液中超声0.3 ~ 2h，得到纳米硅粉混合溶液；三、将步骤一水解后的硅烷偶联剂与步骤二的纳米硅粉混合溶液混合，惰性气体气氛下回流升温反应，控制硅烷偶联剂的质量分数为纳米硅粉的5 ~ 50%，回流温度为80 ~ 120℃，回流时间为5 ~ 10h；四、将步骤三获得的混合溶液离心洗涤、真空干燥，得到具有硅烷偶联剂包覆层的硅基负极材料；五、将步骤四得到的具有硅烷偶联剂包覆层的硅基负极材料在惰性气氛下烧结处理，得到具有SiO包覆层的硅基负极材料，其可应用于锂离子电池中。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于哈尔滨工业大学，未经哈尔滨工业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201511004179.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
