[发明专利]像素结构、阵列基板及像素结构制作方法在审
| 申请号： | 201511014842.3 | 申请日： | 2015-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN105572992A | 公开（公告）日： | 2016-05-11 |
| 发明（设计）人： | 王明宗;齐国杰;陈丹;许琪 | 申请（专利权）人： | 深超光电(深圳)有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 汪飞亚 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种像素结构、包括该像素结构的阵列基板以及像素结构的制作方法。一种像素结构，包括：多条平行排列且相互绝缘的扫描线；多条平行排列且相互绝缘的数据线，该多条数据线与该扫描线交叉以限定多个像素。每个像素包括像素电极与薄膜晶体管。该薄膜晶体管包括双栅极、源极以及漏极，该双栅极包括第一栅极与第二栅极。该第一栅极至少部分与该数据线重叠并且与该扫描线电性导通，部分扫描线作为该第二栅极，该源极电性连接该数据线，该漏极电性连接该像素电极。 | ||
| 搜索关键词： | 像素 结构 阵列 制作方法 | ||
【主权项】：
一种像素结构，包括：多条平行排列且相互绝缘的扫描线；多条平行排列且相互绝缘的数据线，该多条数据线与该扫描线交叉以限定多个像素，每个像素包括：一像素电极，该像素电极位于相邻的两条扫描线与相邻的两条数据线构成的区域内；及一薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括双栅极、源极以及漏极，该双栅极包括第一栅极与第二栅极，其特征在于，该第一栅极至少部分与该数据线重叠并且与该扫描线电性导通，部分扫描线作为该第二栅极，该源极电性连接该数据线，该漏极电性连接该像素电极。
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