[发明专利]一种半导体器件及其制备方法、电子装置在审
| 申请号： | 201511026881.5 | 申请日： | 2015-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN106935490A | 公开（公告）日： | 2017-07-07 |
| 发明（设计）人： | 王冬江 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L29/04;H01L29/08;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 高伟,冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括步骤S1提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极结构和位于所述栅极结构两侧的∑形抬升源漏；步骤S2对所述∑形抬升源漏上部的倾斜侧壁进行非晶化离子注入，以在所述倾斜侧壁上形成非晶化层，以降低在所述∑形抬升源漏边缘下方LDD离子注入和/或源漏注入的离子注入深度。本发明所述方法在制备过程中在形成∑形抬升源漏之后，对所述∑形抬升源漏上部的倾斜侧壁进行垂直或者接近垂直的非晶化离子注入，以在所述倾斜的侧壁上形成非晶化层，以降低在后续的步骤中LDD离子注入和/或源漏注入中在所述∑形抬升源漏边缘处的离子注入深度，提高半导体器件的性能和良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制备 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制备方法，包括：步骤S1：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极结构和位于所述栅极结构两侧的∑形抬升源漏；步骤S2：对所述∑形抬升源漏上部的倾斜侧壁进行非晶化离子注入，以在所述倾斜侧壁上形成非晶化层，以降低在所述∑形抬升源漏边缘下方LDD离子注入和/或源漏注入的离子注入深度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201511026881.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种可增加空气流通的车灯外壳
- 下一篇：前雾灯的调光结构
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
