[发明专利]一种自对准MOSFET器件的制作方法在审
| 申请号： | 201511029529.7 | 申请日： | 2015-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN105655256A | 公开（公告）日： | 2016-06-08 |
| 发明（设计）人： | 刘丽蓉 | 申请（专利权）人： | 东莞市青麦田数码科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 广东莞信律师事务所 44332 | 代理人： | 吴炳贤 |
| 地址： | 523000 广东省东莞市东城*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种III-V MOS器件及制作方法。其制作步骤依次是：在衬底上的半导体层上形成沟道层；在半导体沟道层上形成的欧姆接触层；在欧姆接触层上制作二氧化硅介质开孔；采用刻蚀的方法刻蚀欧姆接触层；制作SiO2侧墙；采用原子层沉积的方法在沟道内沉积高K介质；制作栅金属；以栅金属为掩膜刻蚀栅金属以外的高k介质、二氧化硅，露出欧姆接触层；采用蒸发工艺在有源区沉积源漏金属，制作完成MOSFET器件。该器件的制作方法可用于制作数字集成电路；在制作出栅源、栅漏间隙后提高了射频特性亦可应用于射频集成电路。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 对准 mosfet 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
一种III‑V MOS器件及制作方法，其制作步骤依次是：(1) 在衬底上的半导体层101上形成沟道层102；(2) 在半导体沟道层上形成的欧姆接触层103；(3) 在欧姆接触层上制作二氧化硅介质开孔；(4) 以二氧化硅为掩膜，采用刻蚀的方法刻蚀欧姆接触层，形成栅槽；(5) 在栅槽内制作SiO2侧墙104；(6) 沉积高K介质105；(7) 制作栅金属106；(8) 以栅金属为掩膜刻蚀栅金属以外的高k介质、二氧化硅，露出欧姆接触层；(9) 采用蒸发工艺在有源区沉积源漏金属层107，制作完成MOSFET器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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