[发明专利]一种InGaAs沟道自对准MOSFET器件结构在审
| 申请号： | 201511031340.1 | 申请日： | 2015-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN105789273A | 公开（公告）日： | 2016-07-20 |
| 发明（设计）人： | 刘丽蓉;马莉;夏校军 | 申请（专利权）人： | 东莞市青麦田数码科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/423;H01L29/45;H01L29/78 |
| 代理公司： | 广东莞信律师事务所 44332 | 代理人： | 吴炳贤 |
| 地址： | 523000 广东省东莞市东城*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种InGaAs沟道自对准MOSFET器件结构。其结构包括：在磷化铟衬底上的p型InGaAs半导体层；在p型InGaAs半导体层上形成的高K介质层，在P型InGaAs半导体层中，形成的N型离子注入区，在源漏离子注入区上形成的Ni‑InGaAs半金属层；在高K介质边缘形成的二氧化硅侧墙；在高K介质层上的钨栅金属层；在Ni‑InGaAs半金属层上形成的钨源漏金属层；在W源漏金属层上形成的接触金属层。该器件可用于制作数字集成电路。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ingaas 沟道 对准 mosfet 器件 结构 | ||
【主权项】：
一种InGaAs沟道自对准 MOS器件结构，其结构包括如下：磷化铟衬底上生长的InGaAs沟道层（101）；在InGaAs沟道层（101）上形成高K介质层（102）；在高K介质层（102）上形成二氧化硅侧墙（103）;在高K介质层（102）上形成钨栅金属层（104）;在InGaAs沟道层（101）上形成N型离子注入区(105)；N型离子注入区(105)上形成的Ni‑InGaAs 半金属层(106)；在Ni‑InGaAs 半金属层(106)上形成的钨源漏金属层(107)；在钨源漏金属层(107)层上形成的接触金属。
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