[发明专利]用于处理半导体衬底的方法和用于处理半导体晶片的方法有效
| 申请号： | 201511035867.1 | 申请日： | 2015-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN105609410B | 公开（公告）日： | 2019-03-19 |
| 发明（设计）人： | M·海因里奇;J·希尔施勒;M·米希茨;M·勒斯纳;G·施特兰茨尔;M·兹加加 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 王岳;张涛 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及用于处理半导体衬底的方法和用于处理半导体晶片的方法。根据各种实施例，用于处理半导体衬底的方法可以包括：用金属覆盖半导体衬底的多个管芯区；由半导体衬底形成多个管芯，其中多个管芯中的每一个管芯覆盖有金属；以及随后，对覆盖多个管芯中的至少一个管芯的金属进行退火。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 处理 半导体 衬底 方法 晶片 | ||
【主权项】：
1.一种用于处理半导体衬底的方法，包括：用待退火的金属覆盖所述半导体衬底的多个管芯区；由所述半导体衬底形成多个管芯，其中所述多个管芯中的每一个管芯覆盖有所述金属，以及随后，在大于或等于约220℃的温度下对覆盖所述多个管芯中的至少一个管芯的所述金属进行退火，其中由所述半导体衬底形成多个管芯包括等离子体切割，并且其中覆盖所述半导体衬底的多个管芯区的金属用作用于等离子体切割的掩模。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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