[实用新型]EEPROM工艺中浅沟道隔离凹陷区的定量监测结构有效
| 申请号： | 201520007852.3 | 申请日： | 2015-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN204289435U | 公开（公告）日： | 2015-04-22 |
| 发明（设计）人： | 张学海;李俊;邵长乐 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种EEPROM工艺中浅沟道隔离凹陷区的定量监测结构，包括：半导体衬底，其中，所述半导体衬底中包括沿两个相互垂直的方向形成多个排列的有源区，所述有源区之间设置有浅沟道隔离；在所述半导体衬底上方沉积有一多晶硅层，所述有源区与所述多晶硅层之间沉积有栅氧化物。在电性能测试过程中可测得所述栅氧化物的电容，根据所述栅氧化物的厚度可得所述有源区的电性面积；然后根据测得的有源区的关键尺寸，可以得出所述有源区的物理面积，所述有源区的电性面积与物理面积的比值就可定量的描述浅沟道隔离凹陷区的大小。 | ||
| 搜索关键词： | eeprom 工艺 沟道 隔离 凹陷 定量 监测 结构 | ||
【主权项】：
一种EEPROM工艺中浅沟道隔离凹陷区的定量监测结构，其特征在于，包括：半导体衬底，其中，所述半导体衬底中包括沿两个相互垂直的方向形成多个排列的有源区，所述有源区之间设置有浅沟道隔离；在所述半导体衬底上方沉积有一多晶硅层，所述有源区与所述多晶硅层之间沉积有栅氧化物。
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