[实用新型]在PECVD镀膜工艺使用的新型硅烷气路结构

摘要

本实用新型提供一种在PECVD镀膜工艺使用的新型硅烷气路结构，由依次连通的第一输气圆管、第二输气圆管与输气方管构成，第一输气圆管、第二输气圆管与输气方管形成阶梯状结构；第一输气圆管为其前端部设有一接头，在接头的后侧设有一U形部；第二输气圆管为倒立的U形结构，第一输气圆管的后端部与第二输气圆管的中部相连通，第二输气圆管的两端分别与输气方管相连通。本实用新型通过将硅烷气路设置为阶梯状结构，能够对气体进行均匀的阶梯分流，以使镀膜厚度均匀，反射率增加，减少产品不良品，从而提高电池片的整体效率；通过设置在第一输气圆管前端的U形部，可对输入的气体起到缓存的效果。

主权项

一种在PECVD镀膜工艺使用的新型硅烷气路结构，其特征在于，由依次连通的第一输气圆管(1)、第二输气圆管(2)与输气方管(3)构成，所述第一输气圆管(1)、所述第二输气圆管(2)与所述输气方管(3)形成阶梯状结构；所述第一输气圆管(1)为其前端部设有一接头(12)，在所述接头(12)的后侧设有一U形部(11)；所述第二输气圆管(2)为倒立的U形结构，所述第一输气圆管的后端部与所述第二输气圆管(2)的中部相连通，所述第二输气圆管(2)的两端分别与所述输气方管(3)相连通。