[实用新型]一种显示装置、阵列基板及薄膜晶体管

摘要

本实用新型涉及显示工艺技术领域，特别涉及一种显示装置、阵列基板及薄膜晶体管。该薄膜晶体管依次包括第一栅极、第一栅绝缘层、有源层、第二栅绝缘层、第二栅极、第三栅绝缘层和源漏电极，有源层与第二栅极相对应的区域的外侧分别为源漏轻掺杂区域和源漏重掺杂区域，源、漏电极与源、漏重掺杂区域电连接；第一栅极设置于漏电极所对应区域的漏轻掺杂区域下方或第一栅极分为两个部分，分别设置于源、漏电极对应区域的轻掺杂区域下方。本实用新型提供一种显示装置、阵列基板、薄膜晶体管，通过LDD结构降低TFT关态漏电流，同时通过底栅结构提高TFT开态电流的效果，提高产品良品率。

主权项

一种薄膜晶体管，其特征在于，依次包括第一栅极、第一栅绝缘层，所述第一栅绝缘层上设有有源层，所述有源层上依次设有第二栅绝缘层、第二栅极、第三栅绝缘层和源漏电极，所述源漏电极在第三栅绝缘层上；所述有源层与第二栅极相对应的区域的外侧分别为源漏轻掺杂区域和源漏重掺杂区域，其中，源轻掺杂区域和漏轻掺杂区域紧挨第二栅极，源重掺杂区域紧挨所述源轻掺杂区域并且所述漏重掺杂区域紧挨所述漏轻掺杂区域，所述源、漏电极与所述源、漏重掺杂区域电连接；其中，所述第一栅极设置于所述漏电极所对应区域的漏轻掺杂区域下方或所述第一栅极分为两个部分，分别设置于所述源、漏电极对应区域的轻掺杂区域下方。