[实用新型]薄膜晶体管基板有效
| 申请号： | 201520115400.7 | 申请日： | 2015-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN204464281U | 公开（公告）日： | 2015-07-08 |
| 发明（设计）人： | 李瑛长;孙庚模;李昭珩;朴文镐;李成秦 | 申请（专利权）人： | 乐金显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L29/786;H01L21/77;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及一种在相同基板上具有两种不同类型的薄膜晶体管的薄膜晶体管基板及利用该薄膜晶体管基板的显示装置。本申请提出了一种薄膜晶体管基板，其包括：基板；设置在所述基板上的第一薄膜晶体管，包括多晶半导体层、在所述多晶半导体层上的第一栅极电极、第一源极电极以及第一漏极电极；设置在所述基板上的第二薄膜晶体管，包括第二栅极电极、在所述第二栅极电极上的氧化物半导体层、第二源极电极以及第二漏极电极；以及包括氮化物层及在所述氮化物层上的氧化物层的中间绝缘层，所述中间绝缘层设置在所述第一栅极电极和第二栅极电极之上并在所述氧化物半导体层之下。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管基板，其特征是，所述薄膜晶体管基板包括：基板；设置在所述基板上的第一薄膜晶体管，包括多晶半导体层、在所述多晶半导体层上的第一栅极电极、第一源极电极以及第一漏极电极；设置在所述基板上的第二薄膜晶体管，包括第二栅极电极、在所述第二栅极电极上的氧化物半导体层、第二源极电极以及第二漏极电极；以及包括氮化物层及在所述氮化物层上的氧化物层的中间绝缘层，所述中间绝缘层设置在第一栅极电极和第二栅极电极之上并在所述氧化物半导体层之下。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于乐金显示有限公司，未经乐金显示有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201520115400.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：太阳能电池
- 下一篇：一种小球间距的POP芯片叠层封装结构
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
