[实用新型]一种电流可复用低功耗射频前端接收电路有效

专利信息
申请号: 201520137264.1 申请日: 2015-03-11
公开(公告)号: CN204615816U 公开(公告)日: 2015-09-02
发明(设计)人: 江金光;熊智慧 申请(专利权)人: 武汉大学苏州研究院
主分类号: H04B1/16 分类号: H04B1/16
代理公司: 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 代理人: 鲁力
地址: 215123 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型涉及一种电流可复用低功耗射频前端电路,包括低噪声放大器,混频器和压控振荡器。该结构的低噪声放大器输入管和有源双平衡混频器的跨导级复用静态偏置电流,若干晶体管和若干电感、可变电容组成双平衡交叉耦合负阻压控振荡器,同时此VCO结构又作为两组开关对的源极,进行混频振荡信号注入。差分射频信号Rfin+和Rfin-则驱动开关对栅极。该结构使得低噪声放大器,混频器和压控振荡器这三个模块的总功耗大大降低,而每个模块使用的电流没有减少,因此电路的性能不会有明显的恶化。本实用新型改进的双平衡VCO负载和双平衡混频器结构,有效提高了射频信号Rf、本振信号LO和中频输出信号IF之间的隔离度。
搜索关键词: 一种 电流 可复用低 功耗 射频 前端 接收 电路
【主权项】:
一种电流可复用低功耗射频前端接收电路,其特征在于:包括依次连接的低噪声放大器:所述低噪声放大器采用源极负反馈电感共源级结构,为双平衡混频器开关对提供偏置电流;混频器:为双平衡混频器,也就是Gilbert混频器;压控振荡器:两组双平衡的交叉耦合NMOS管提供振荡网络所需基本负阻电路结构,与电感、可变电容组成压控振荡器,同时又接两组开关对的源极,将进行混频的本振信号注入。
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