[实用新型]PIP电容和嵌入式快闪存储器有效
| 申请号： | 201520138365.0 | 申请日： | 2015-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN204407324U | 公开（公告）日： | 2015-06-17 |
| 发明（设计）人： | 杨震 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种PIP电容和嵌入式快闪存储器，其中，所述PIP电容包括：形成于衬底上的第一多晶硅层；形成于所述第一多晶硅层上的第一绝缘介质层；形成于所述第一绝缘介质层上的第二多晶硅层；其中，所述第二多晶硅层的侧面包围所述第一多晶硅层的侧面。在本实用新型提供的PIP电容和嵌入式快闪存储器中，利用多晶硅材料形成PIP电容的侧墙，所述侧墙能够避免所述PIP电容在后续制造过程中受到腐蚀，从而保证击穿电压的稳定性，进而提高嵌入式快闪存储器的可靠性及良率。 | ||
| 搜索关键词： | pip 电容 嵌入式 闪存 | ||
【主权项】：
一种PIP电容，其特征在于，包括：形成于衬底上的第一多晶硅层；形成于所述第一多晶硅层上的第一绝缘介质层；形成于所述第一绝缘介质层上的第二多晶硅层；其中，所述第二多晶硅层的侧面包围所述第一多晶硅层的侧面。
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