[实用新型]一种芯片植球治具有效
申请号: | 201520230514.6 | 申请日: | 2015-04-16 |
公开(公告)号: | CN204516725U | 公开(公告)日: | 2015-07-29 |
发明(设计)人: | 唐伟 | 申请(专利权)人: | 广上科技(广州)有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 510000 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型公开一种芯片植球治具,包括有一底座、两第一夹扣、一第二夹扣、一调节螺栓、一下盖、一钢网以及以上盖;该底座上设置有缺角,底座的表面凸设有平台,该平台的中部位置凹设有容置腔和通槽,该平台上靠近缺角处凹设有第一凹腔和第二凹腔,该第一凹腔靠近缺角,第二凹腔靠近容置腔并连通第一凹腔和容置腔之间,该缺角的侧面上设置有连通第一凹腔的螺孔;本实用新型可对芯片进行很好定位,不采用成品锡球,而是利用在钢网上刮锡膏的方式,使锡膏粘在芯片接脚上形成锡柱,取下钢网后加热并融化锡膏,利用液体张力的作用在芯片接脚上自然形成形状一致的锡球,无需手工逐个植球,有效提高工作效率,降低成本,且修复质量有保障。 | ||
搜索关键词: | 一种 芯片 植球治具 | ||
【主权项】:
一种芯片植球治具,其特征在于:包括有一底座、两第一夹扣、一第二夹扣、一调节螺栓、一下盖、一钢网以及以上盖;该底座上设置有缺角,底座的表面凸设有平台,该平台的中部位置凹设有容置腔和通槽,该通槽位于容置腔的中部位置并贯穿底座的上下表面,通槽的长度大于容置腔的宽度,该平台上靠近缺角处凹设有第一凹腔和第二凹腔,该第一凹腔靠近缺角,第二凹腔靠近容置腔并连通第一凹腔和容置腔之间,该缺角的侧面上设置有连通第一凹腔的螺孔;该第一夹扣设置于第一凹腔的两侧内部,该第二夹扣可活动地设置于第一凹腔和第二凹腔中,第二夹扣位于两第一夹扣之间;该调节螺杆与螺孔螺合连接并伸入第一凹腔中,调节螺杆外套设有弹簧,该弹簧位于第一凹腔中,该弹簧的两端分别抵于第一凹腔的内壁和第二夹扣上;该下盖设置于底座的表面上并位于平台的外围,该钢网抵于下盖的表面上,钢网上设置有多个下锡孔,该多个下锡孔均连通容置腔;该上盖抵于钢网的周缘并压抵住下盖。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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