[实用新型]铜铟镓硒太阳能电池P-N结形成装置

摘要

本实用新型提出铜铟镓硒太阳能电池P-N结形成装置，硫化隔膜层沉积装置依次安装的进片腔、高温硒化/硫化腔、硒化/硫化冷却腔、镀膜缓冲腔、电池基片镀膜腔、缓冲出片腔、出片腔内部均设置有带动电池基片移动的滚轮，完成硒化工艺或硒化/硫化工艺后的电池基片在经过镀膜缓冲腔而不暴露在大气中而直接衔接电池基片镀膜腔；电池基片镀膜腔采用磁控溅射沉积硫化镉膜层,使电池吸收层在进入镀膜腔之前不暴露在大气中，这样不会有氧化反应，水汽吸收或其他杂质的污染，直接进行硫化镉膜层的沉积的方式，可形成不受污染的P-N结，设计新颖，是一种很好的创新方案，很有市场推广前景。

主权项

铜铟镓硒太阳能电池P‑N结形成装置，硫化隔膜层沉积装置依次安装的进片腔、高温硒化/硫化腔、硒化/硫化冷却腔、镀膜缓冲腔、电池基片镀膜腔、缓冲出片腔、出片腔内部均设置有带动电池基片移动的滚轮，其特征在于：完成硒化工艺或硒化/硫化工艺后的电池基片在经过镀膜缓冲腔而不暴露在大气中而直接衔接电池基片镀膜腔；电池基片镀膜腔采用磁控溅射沉积硫化镉膜层。