[实用新型]半导体装置有效
申请号: | 201520364059.9 | 申请日: | 2015-05-29 |
公开(公告)号: | CN204741013U | 公开(公告)日: | 2015-11-04 |
发明(设计)人: | 谷山敏;金辰德;木桥孝允 | 申请(专利权)人: | 三垦电气株式会社 |
主分类号: | H01L23/29 | 分类号: | H01L23/29;H01L23/31 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;金玲 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本实用新型提供一种半导体装置,其耐热性较高且高可靠性。本实用新型的半导体装置具有半导体元件、引线、配置为包围所述半导体元件和所述引线的壳体、以及封装被所述壳体包围的区域的封装体,其特征在于,所述封装体具有第1层、第2层和第3层,所述第1层的耐热性高于所述第3层,所述第2层与所述第1层以及与所述第3层的紧密贴合性相对较高,所述第3层的硬度相对高于所述第1层的硬度。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
【主权项】:
一种半导体装置,其具有:半导体元件;基板,其一个主表面上搭载有该半导体元件;壳体,其配置于该基板的一个主表面或侧表面上,且被配置为包围所述半导体元件;以及封装体,其覆盖所述基板的被所述壳体包围的一个主表面侧,该半导体装置的特征在于,所述封装体从所述基板的一个主表面侧起依次具有第1层、第2层和第3层,所述第1层覆盖所述半导体元件,且接触所述壳体的内壁面,所述第3层隔着所述第2层覆盖所述第1层的主表面,且接触所述壳体的内壁面,所述第1层由耐热性优于所述第3层的树脂构成,所述第3层由硬度高于所述第1层的树脂构成,所述第1层与所述第2层之间的紧密贴合性和所述第2层与所述第3层之间的紧密贴合性高于所述第1层与所述第3层之间的紧密贴合性。
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