[实用新型]半导体装置有效

专利信息
申请号: 201520364059.9 申请日: 2015-05-29
公开(公告)号: CN204741013U 公开(公告)日: 2015-11-04
发明(设计)人: 谷山敏;金辰德;木桥孝允 申请(专利权)人: 三垦电气株式会社
主分类号: H01L23/29 分类号: H01L23/29;H01L23/31
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 李辉;金玲
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型提供一种半导体装置,其耐热性较高且高可靠性。本实用新型的半导体装置具有半导体元件、引线、配置为包围所述半导体元件和所述引线的壳体、以及封装被所述壳体包围的区域的封装体,其特征在于,所述封装体具有第1层、第2层和第3层,所述第1层的耐热性高于所述第3层,所述第2层与所述第1层以及与所述第3层的紧密贴合性相对较高,所述第3层的硬度相对高于所述第1层的硬度。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
一种半导体装置,其具有:半导体元件;基板,其一个主表面上搭载有该半导体元件;壳体,其配置于该基板的一个主表面或侧表面上,且被配置为包围所述半导体元件;以及封装体,其覆盖所述基板的被所述壳体包围的一个主表面侧,该半导体装置的特征在于,所述封装体从所述基板的一个主表面侧起依次具有第1层、第2层和第3层,所述第1层覆盖所述半导体元件,且接触所述壳体的内壁面,所述第3层隔着所述第2层覆盖所述第1层的主表面,且接触所述壳体的内壁面,所述第1层由耐热性优于所述第3层的树脂构成,所述第3层由硬度高于所述第1层的树脂构成,所述第1层与所述第2层之间的紧密贴合性和所述第2层与所述第3层之间的紧密贴合性高于所述第1层与所述第3层之间的紧密贴合性。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三垦电气株式会社,未经三垦电气株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201520364059.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top