[实用新型]一种新型LED倒装芯片

摘要

本申请公开了一种新型LED倒装芯片，其特征在于，该新型LED倒装芯片从上至下顺序设置有：衬底、外延层、P型电极和N型电极。本实用新型解决了现有LED倒装芯片出光角度大，亮度低且成本高的问题。

主权项

一种新型LED倒装芯片，其特征在于，该新型LED倒装芯片从上至下顺序设置有：衬底、外延层、P型电极和N型电极，其中，所述衬底，为蓝宝石衬底，设置在所述新型LED倒装芯片顶层，与所述外延层相连接；所述外延层，其上表面与所述衬底底面相连接，下表面与所述P型电极相连接，该外延层内含有n‑GaN，其从上至下顺序设置有：N型导电层、发光层和P型导电层；所述N型导电层，其上表面与所述衬底底面相连接，其下表面的部分与所述发光层相连接，同时该N型导电层的下表面与所述发光层未连接的部分与所述N型电极相连接；所述发光层，其上表面与所述N型导电层的下表面的部分相连接，该发光层的下表面与所述P型导电层的上表面相连接；所述P型导电层，其上表面与所述发光层的下表面相连接，该P型导电层的中部以下设置有透明导电层，该透明导电层的下表面与所述P型电极相连接；所述衬底与所述外延层相连接的左右边缘为倾斜角设计，该倾斜角的外表面镀有一层DBR。