[实用新型]一种用于升压架构的基极电压控制电路有效
申请号: | 201520444778.1 | 申请日: | 2015-06-25 |
公开(公告)号: | CN204794658U | 公开(公告)日: | 2015-11-18 |
发明(设计)人: | 罗立权;罗杰;薛经纬 | 申请(专利权)人: | 灿瑞半导体(上海)有限公司 |
主分类号: | H02M1/08 | 分类号: | H02M1/08 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人: | 邓琪;杨希 |
地址: | 200081 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种用于升压架构的基极电压控制电路,所述升压架构包括一功率PMOS管,其具有连接至电压输入端的第一极以及连接至电压输出端的第二极,所述电路包括:电压比较器,其正输入端与所述功率PMOS管的第一极连接,其负输入端与所述功率PMOS管的第二极连接;第一电平转换器;第二电平转换器;以及第一至第六PMOS管。本实用新型通过采用电压比较器判断升压架构中的功率PMOS管第一极和第二极的电位高低,并通过第一、第二电平转换器相应地控制第一至第六MOS管的开关状态,从而控制功率PMOS管的基极电位,通过使其在输入电压的不同状态下,选择性地与功率PMOS管的第一极或第二极同电位,进而控制功率PMOS管的第一极和第二极之间的寄生二极管的方向,以输出零电位。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 升压 架构 基极 电压 控制电路 | ||
【主权项】:
一种用于升压架构的基极电压控制电路,所述升压架构包括一功率PMOS管,其具有连接至电压输入端的第一极以及连接至电压输出端的第二极,其特征在于,所述电路包括:电压比较器,其正输入端与所述功率PMOS管的第一极连接,其负输入端与所述功率PMOS管的第二极连接;第一电平转换器,其输入端连接至所述电压比较器的输出端,其第一输出端的电平与其输入端的电平一致,其第二输出端的电平与其输入端的电平相反;第二电平转换器,其输入端连接至所述电压比较器的输出端,其第一输出端的电平与其输入端的电平一致,其第二输出端的电平与其输入端的电平相反;第一PMOS管,其栅极与所述第一电平转换器的第一输出端连接,其源极连接至所述电压输出端;第二PMOS管,其栅极和漏极分别与所述第一PMOS管的栅极和漏极连接,其源极接地;第三PMOS管,其栅极与所述第一电平转换器的第二输出端连接,其漏极连接至所述电压输入端,其源极与所述第二PMOS管的源极相连至所述功率PMOS管的基极;第四PMOS管,其栅极与所述第二电平转换器的第二输出端连接,其源极与所述第一PMOS管的源极连接;第五PMOS管,其栅极和漏极分别与所述第四PMOS管的栅极和漏极连接,其源极接地;以及第六PMOS管,其栅极与所述第二电平转换器的第一输出端连接,其漏极与所述第三PMOS管的漏极连接,其源极与所述第五PMOS管的源极连接。
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H02 发电、变电或配电
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H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
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