[实用新型]双面发光LED芯片有效
| 申请号： | 201520460556.9 | 申请日： | 2015-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN204696145U | 公开（公告）日： | 2015-10-07 |
| 发明（设计）人： | 徐之际 | 申请（专利权）人： | 苏州东山精密制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/36 |
| 代理公司： | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人： | 刘宪池 |
| 地址： | 215000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种双面发光LED芯片，所述LED芯片包括衬底以及位于衬底上的外延结构，所述外延结构包括位于衬底上的N型半导体层、位于N型半导体层上且相互分离设置的第一多量子阱发光层和第二多量子阱发光层、以及分别位于第一多量子阱发光层和第二多量子阱发光层上的第一P型半导体层和第二P型半导体层，所述N型半导体层上设置有N电极，所述第一P型半导体层和第二P型半导体层上分别设置有第一P电极和第二P电极。本实用新型通过一组芯片即可实现LED双面发光效果，提高了LED芯片的发光效率，且制造工艺简单、控制方便。 | ||
| 搜索关键词： | 双面 发光 led 芯片 | ||
【主权项】：
一种双面发光LED芯片，所述LED芯片包括衬底以及位于衬底上的外延结构，其特征在于，所述外延结构包括位于衬底上的N型半导体层、位于N型半导体层上且相互分离设置的第一多量子阱发光层和第二多量子阱发光层、以及分别位于第一多量子阱发光层和第二多量子阱发光层上的第一P型半导体层和第二P型半导体层，所述N型半导体层上设置有N电极，所述第一P型半导体层和第二P型半导体层上分别设置有第一P电极和第二P电极。
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