[实用新型]发光器件及照明装置有效
| 申请号： | 201520464952.9 | 申请日： | 2015-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN205092263U | 公开（公告）日： | 2016-03-16 |
| 发明（设计）人： | 郑势演;李容京 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/42 | 分类号： | H01L33/42;H01L33/46;F21V23/00;F21V29/503;F21V29/508;F21Y115/10 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张浴月;李玉锁 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 实施例提供一种发光器件以及照明装置，该发光器件包括：衬底；发光结构，包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层，所述发光结构布置在所述衬底上；第一电极，布置在所述第一导电型半导体层上；以及第二电极，布置在所述第二导电型半导体层上。所述第一电极包括：欧姆接触层，布置在所述第一导电型半导体层上且由透明导电氧化物形成；以及反射层，布置在所述欧姆接触层上，其中所述欧姆接触层的厚度为1nm或更大且小于60nm。实施例提供了一种欧姆特性得以增强并且光量增加的发光器件。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 器件 照明 装置 | ||
【主权项】：
一种发光器件，其特征在于，包括：衬底；发光结构，包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层，所述发光结构布置在所述衬底上；第一电极，布置在所述第一导电型半导体层上；以及第二电极，布置在所述第二导电型半导体层上，其中所述第一电极包括：欧姆接触层，布置在所述第一导电型半导体层上且由透明导电氧化物形成；以及反射层，布置在所述欧姆接触层上，其中所述欧姆接触层的厚度为1nm或更大且小于60nm。
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