[实用新型]一种无运放低功耗高电源抑制比的带隙基准电路有效
| 申请号： | 201520490226.4 | 申请日： | 2015-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN204808103U | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 邓龙利;刘铭 | 申请（专利权）人： | 北京兆易创新科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/567 | 分类号： | G05F1/567 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 胡彬;邓猛烈 |
| 地址： | 100083 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型提出一种无运放低功耗高电源抑制比的带隙基准电路。该电路包括正温度系数电路、负温度系数电路和输出电路，其中，输出电路的三个输出分支分别包括串联的两个PMOS管；还包括：偏置电路，偏置电路包括串联的第一偏置PMOS管、第二偏置PMOS管和偏置NMOS管，两个偏置PMOS管与输出电路中的PMOS管并联；第二偏置PMOS管的漏极与偏置NMOS管漏极相连；偏置NMOS管的栅极与正温度系数电路中第零三极管的集电极连接，偏置NMOS管的源极与正温度系数电路中第一三极管的发射极连接；第一三极管的集电极和基极相连。增加了偏置电路，保证正温度系数电路中，三极管集电极的电压保持一致，不会随电源电压的变化使得电路基准电流变化，提高了输出电压对于电源变化的抑制能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 放低 功耗 电源 抑制 基准 电路 | ||
【主权项】：
一种无运放低功耗高电源抑制比的带隙基准电路，包括正温度系数电路、负温度系数电路和输出电路，其特征在于：所述输出电路的三个输出分支分别包括串联的两个PMOS管；所述基准电路还包括偏置电路，所述偏置电路包括串联的第一偏置PMOS管、第二偏置PMOS管和偏置NMOS管，两个偏置PMOS管与输出电路中的PMOS管并联；第二偏置PMOS管的漏极与所述偏置NMOS管漏极相连；所述偏置NMOS管的栅极与正温度系数电路中第零三极管的集电极连接，所述偏置NMOS管的源极与正温度系数电路中第一三极管的发射极连接；所述第一三极管的集电极和基极相连。
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