[实用新型]湿式蚀刻机机台用浸泡槽结构有效
| 申请号： | 201520515914.1 | 申请日： | 2015-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN204792722U | 公开（公告）日： | 2015-11-18 |
| 发明（设计）人： | 黄于维 | 申请（专利权）人： | 上海和辉光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海申浩律师事务所 31280 | 代理人： | 乐卫国 |
| 地址： | 201506 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种湿式蚀刻机机台用浸泡槽结构，包括槽底和侧边，所述槽底位于基板传送轴的下方，侧边的上端面高度高于基板传送轴，其特征在于，所述槽底设置有用以减少浸泡槽内部空余体积来减少覆盖基板所需药液量的填充件，所述填充件位于基板传送轴下方。本实用新型通过在浸泡槽内设置有填充件，用以减少浸泡槽内部空余体积，从而来减少覆盖基板所需药液量，减少由喷淋模式切换至浸泡模式时，所需要的稳态时间，降低蚀刻的变异性。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 机台 浸泡 结构 | ||
【主权项】：
湿式蚀刻机机台用浸泡槽结构，包括槽底和侧边，所述槽底位于基板传送轴的下方，侧边的上端面高度高于基板传送轴，其特征在于，所述槽底设置有用以减少浸泡槽内部空余体积来减少覆盖基板所需药液量的填充件，所述填充件位于基板传送轴下方。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
