[实用新型]存储器单元和非易失性存储器有效

专利信息
申请号: 201520565163.4 申请日: 2015-07-30
公开(公告)号: CN204991153U 公开(公告)日: 2016-01-20
发明(设计)人: F·拉罗萨 申请(专利权)人: 意法半导体(鲁塞)公司
主分类号: G11C16/04 分类号: G11C16/04;G11C16/10;H01L27/115
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华
地址: 法国*** 国省代码: 法国;FR
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摘要: 本公开提供了存储器单元和非易失性存储器。一种非易失性存储器包括位线、包括第一类型的存储器单元的第一页可擦除扇区和包括第二类型的存储器单元的第二字可擦除或位可擦除扇区。第一类型的存储器单元包括单个浮置栅极晶体管,并且第二类型的存储器单元包括浮置栅极被电耦合的第一浮置栅极晶体管和第二浮置栅极晶体管,第二类型的存储器单元的第二浮置栅极晶体管使该存储器单元能够被单独地擦除。
搜索关键词: 存储器 单元 非易失性存储器
【主权项】:
一种非易失性存储器,其特征在于,包括:位线,第一类型的第一存储器单元,每个所述第一存储器单元包括单个浮置栅极晶体管,所述第一存储器单元中的每个第一存储器单元的所述浮置栅极晶体管包括电耦合至所述位线中的第一位线的漏极区域,所述第一类型的第二存储器单元,每个所述第二存储器单元包括单个浮置栅极晶体管,所述第二存储器单元中的每个第二存储器单元的所述浮置栅极晶体管包括电耦合至所述位线中的第二位线的漏极区域,以及第二类型的存储器单元,每个所述第二类型的存储器单元包括:第一浮置栅极晶体管,包括浮置栅极和电耦合至所述第一位线的漏极区域,以及第二浮置栅极晶体管,包括浮置栅极和电耦合至所述第二位线的漏极区域,其中所述第一浮置栅极晶体管的所述浮置栅极被电耦合至所述第二浮置栅极晶体管的所述浮置栅极,并且所述第二浮置栅极晶体管包括隧道电介质层和相对于所述第二浮置栅极晶体管的所述浮置栅极在所述隧道电介质层的相对侧上延伸的永久导电区域。
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