[实用新型]高空穴注入效率的LED外延结构有效
| 申请号： | 201520657363.2 | 申请日： | 2015-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN204966527U | 公开（公告）日： | 2016-01-13 |
| 发明（设计）人： | 郑建钦;田宇;吴真龙;曾颀尧;赖志豪;林政志 | 申请（专利权）人： | 南通同方半导体有限公司;同方股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/06;H01L33/00 |
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| 地址： | 100083 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 高空穴注入效率的LED外延结构，涉及发光二极管外延技术领域。本实用新型从下至上依次包括衬底、GaN缓冲层、未掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱、电子阻挡层、P型GaN层和P型接触层。其中多量子阱由InGaN层和GaN层构成。其结构特点是，所述电子阻挡层从下至上依次由p型AlxGa1-xN层、AlN层和p型InyGa1-yN层构成，其中0<x≤0.3、0<y≤0.2。所述电子阻挡层包括8-12个生长周期，生长压力为100-200Torr，在氮气环境中生长。本实用新型采用由p型AlxGa1-xN层、AlN层和p型InyGa1-yN超晶格层构成电子阻挡层，通过应变和减小合金散射来提高空穴浓度和迁移率，提升发光二级管的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 空穴 注入 效率 led 外延 结构 | ||
【主权项】：
高空穴注入效率的LED外延结构，从下至上依次包括衬底（1）、GaN缓冲层（2）、未掺杂GaN层（3）、N型GaN层（4）、多量子阱（5）、电子阻挡层（6）、P型GaN层（7）和P型接触层（8），其中多量子阱（5）由InGaN层（13）和GaN层（12）构成，其特征在于：所述电子阻挡层（6）从下至上依次由p型AlxGa1‑xN层（9）、AlN层（10）和p型InyGa1‑yN层（11）构成，其中0<x≤0.3、0<y≤0.2，所述电子阻挡层（6）包括8‑12个生长周期，生长压力为100‑200Torr，在氮气环境中生长。
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