[实用新型]晶硅制绒槽有效
| 申请号： | 201520662516.2 | 申请日： | 2015-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN205004346U | 公开（公告）日： | 2016-01-27 |
| 发明（设计）人： | 刘尧平;陈伟;杨丽霞;杜小龙 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 王勇;王博 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种晶硅制绒槽，包括沿所述晶硅的操作方向依次排列的金属催化刻蚀槽、残余金属清洗槽、二次清洗槽和干燥预处理槽。本实用新型的晶硅制绒槽成本低、通用性好，能用于单晶硅和多晶硅的制绒工艺中。 | ||
| 搜索关键词： | 晶硅制绒槽 | ||
【主权项】：
一种晶硅制绒槽，其特征在于，包括沿所述晶硅的操作方向依次排列的金属催化刻蚀槽、残余金属清洗槽、二次清洗槽和干燥预处理槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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